日本車(chē)用半導(dǎo)體IDM龍頭瑞薩，為了拓展功率半導(dǎo)體以及第三類(lèi)半導(dǎo)體布局，宣布以每股5.1美元的價(jià)格取得氮化鎵(GaN)IDM廠商Transphorm已發(fā)行的所有普通股，收購(gòu)總額約3.39億美元，以Transphorm 1月10日收盤(pán)價(jià)3.79美元來(lái)看、瑞薩開(kāi)出的收購(gòu)價(jià)溢價(jià)約35%。此消息一出，激勵(lì)昨晚(11)日Transphorm股價(jià)暴漲25.86%。

過(guò)去瑞薩主要著墨於車(chē)用MCU，但有鑑於電動(dòng)車(chē)對(duì)於功率半導(dǎo)體需求大增，近來(lái)瑞薩也積極發(fā)展相關(guān)業(yè)務(wù)。去年瑞薩與碳化矽(SiC)基板龍頭Wolfspeed合作，Wolfspeed將在未來(lái)十年為瑞薩提供碳化矽裸晶（bare）及磊晶（epitaxial）晶圓。Wolfspeed供應(yīng)的優(yōu)質(zhì)碳化矽晶圓，可讓瑞薩於2025年開(kāi)始量產(chǎn)碳化矽功率半導(dǎo)體。

因應(yīng)5G、電動(dòng)車(chē)時(shí)代來(lái)臨，對(duì)於高頻、高壓功率元件需求大增，帶動(dòng)氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等寬能隙半導(dǎo)體材料興起。相較於矽基元件，GaN元件切換速度增快達(dá)十倍，同時(shí)可以在更高的最高溫度下運(yùn)作，這些強(qiáng)大的材料本質(zhì)特性讓GaN廣泛適用於具備100V與650V兩種電壓範(fàn)疇持續(xù)成長(zhǎng)的汽車(chē)、工業(yè)、電信、以及特定消費(fèi)性電子應(yīng)用產(chǎn)品。

根據(jù)資策會(huì)(MIC)資料統(tǒng)計(jì)，2022年全球GaN功率元件市占率，前七大廠商分別為 Power Integrations、Navitas、EPC、GaN Systems、Innoscience、Transphorm與Infineon；其中，GaN Systems日前已被Infineon收購(gòu)。相較於SiC，GaN市場(chǎng)規(guī)模較小，根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Group預(yù)估，GaN功率元件的市場(chǎng)規(guī)模，將在2027年達(dá)到20億美元。在2021-2027年間，整體GaN功率元件市場(chǎng)的複合年成長(zhǎng)率（CAGR）為59%。

目前國(guó)內(nèi)不少?gòu)S商也積極投入GaN，最上游基板廠環(huán)球晶、磊晶嘉晶、全新、晶圓代工臺(tái)積電、世界、漢磊投控、臺(tái)亞、晶成、聯(lián)穎等；以及IDM廠商全訊等。其中，晶圓代工龍頭臺(tái)積電早在2020年就與功率半導(dǎo)體IDM大廠意法半導(dǎo)體攜手合作開(kāi)發(fā)GaN製程技術(shù)，包括: GaN Systems、Navitas等都是臺(tái)積電的客戶(hù)。

聯(lián)電也透過(guò)轉(zhuǎn)投資的6吋廠聯(lián)穎光電進(jìn)軍氮化鎵晶圓代工，聯(lián)手建置技術(shù)平臺(tái)，供客戶(hù)設(shè)計(jì)導(dǎo)入，並與知名的氮化鎵設(shè)計(jì)公司展開(kāi)研發(fā)8吋代工製程；建置晶圓廠代工技術(shù)與產(chǎn)能之外，聯(lián)電與策略結(jié)盟夥伴封測(cè)廠頎邦，也會(huì)展開(kāi)GaN後段的代工合作。

8吋晶圓代工廠世界於2018年以Qromis基板技術(shù)（簡(jiǎn)稱(chēng)QST）進(jìn)行8吋QST基板的0.35微米650V電壓的GaN-on-QST製程開(kāi)發(fā)。QST基板相較於以矽（Si）作為基板，具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹係數(shù)（CTE），在製程中堆疊氮化鎵的同時(shí)，也能降低翹曲（warpage）破片，更有利於實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。日前GaN大廠EPC與晶圓代工廠世界共同宣布簽訂未來(lái)數(shù)年的8吋氮化鎵功率元件量產(chǎn)合作協(xié)議，EPC將採(cǎi)用世界先進(jìn)高品質(zhì)製造能力來(lái)提升高性能氮化鎵電晶體和IC產(chǎn)能。