臺(tái)積電代工 瑞薩推邊緣 AI 用 MCU、性能提高 30 倍
日本半導(dǎo)體大廠瑞薩電子（Renesas Electronics）推出邊緣 AI 用 MCU 產(chǎn)品，AI 性能提高至 30 倍，並委由臺(tái)積電生產(chǎn)、採(cǎi)用臺(tái)積電 22 奈米（nm）製程。
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瑞薩2日宣布，開(kāi)賣邊緣AI用MCU產(chǎn)品「RA8P1」、並開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)，其推論處理性能提高至現(xiàn)行產(chǎn)品的30倍以上。
瑞薩指出，RA8P1藉由將1GHz Arm Cortex-M85和250MHz Cortex-M33 CPU核心、與Arm Ethos-U55 NPU相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高等級(jí)的7,300 CoreMark CPU性能以及256 GOPS（Giga Operations Per Second）AI運(yùn)算性能。
瑞薩指出，RA8P1委由臺(tái)積電代工、採(cǎi)用臺(tái)積電22奈米ULL（Ultra-low Leakage）製程，兼顧高處理性能和低功耗。該製程支援在MCU中使用磁阻式隨機(jī)存取記憶體（MRAM），和Flash Memory相比，MRAM具有更快的寫入速度、並提升耐久性和數(shù)據(jù)保留能力。
瑞薩2日大漲2.43%、收1,815日?qǐng)A；今年迄今瑞薩股價(jià)累計(jì)下挫約11%。